什么是击穿电压？产品的击穿电压是怎么测试的

本文目录

• 什么是击穿电压
• 产品的击穿电压是怎么测试的
• 测试材料的击穿电压和介电损耗，对材料的制样有什么要求吗
• 固体电工绝缘材料工频击穿电压，击穿强度和耐电压试验方法
• 电容器的耐压值、额定电压和击穿电压有什么区别电容器上标的电压是什么电压
• 二极管软击穿怎么检测
• 什么是击穿电压其影响因素有哪些
• 电容器超过额定电压会被击穿吗为什么，额定电压与击穿电压有什么关系和区别请简单解释，谢谢
• 做场效应传感器时用什么仪器测试
• 如何判断场效应管是电流击还是电压击穿

什么是击穿电压

击穿电压是使电介质击穿的电压，电介质在足够强的电场作用下将失去其介电性能成为导体，称为电介质击穿，所对应的电压称为击穿电压。电介质击穿时的电场强度叫击穿场强。

在强电场作用下，固体电介质丧失电绝缘能力而由绝缘状态突变为良导电状态。导致击穿的最低临界电压称为击穿电压，在均匀电场中，击穿电压与固体电介质厚度之比称为击穿电场强度，它反映固体电介质自身的耐电强度。

不均匀电场中，击穿电压与击穿处固体电介质厚度之比称为平均击穿场强，它低于均匀电场中固体电介质的介电强度。不同电介质在相同温度下，其击穿场强不同。当电容器介质和两极板的距离d一定后，由U1-U2=Ed知，击穿场强决定了击穿电压。

扩展资料

击穿电压也是评定绝缘油电气性能的一项指标，可用来判断绝缘油含水和其他悬浮物污染的程度，以及对注入设备前油品干燥和过滤程度的检验。对清净干燥的油施加一个逐渐升高的电压时，在电压的负极端会发射击电子。当电子具有足够能量时，可以使油分子微化离解。

于是整个离解过程随电压升高而加强，当达到某一个电压后，会产生大量传导电流而形成电弧，这种现象被称为击穿。若油中有水或固体物存在时，则会使击穿电压变小，这是由于水和固体物的导电性均比油大之缘故。运行中油的击穿电压低是变压器工作危险的信号。

产品的击穿电压是怎么测试的

这个可以用电压击穿试验仪来测量的。不仅可以测量薄膜，还可以测量橡胶塑料以及其他的绝缘材料，bdjc-30kv
就可以。

测试材料的击穿电压和介电损耗，对材料的制样有什么要求吗

击穿测试：所测试材料一般制成吵仔或膜状，不能太厚，否则不能击穿或者击穿电压过大；面积应该大于击穿电极的面积升伍，一般5*5cm2吧！
介电损耗测试：制备成小片，厚度1mm作用，方形或圆形均可，面积1mm2大小，这个戚拦主要看测试机器的模具形状。

固体电工绝缘材料工频击穿电压，击穿强度和耐电压试验方法

首先，要有足够高的工频可变电源。比如10KV。其次，通过一个足够大的电阻接上两极。比如10KV/0.001A=10M欧姆。然后，两极间要有足够量程的电压表。要大于电源电压。够了。将待测绝缘材料夹在两测试极间，逐渐升高电压并随时记录度数，当电源电压升高到一定高度会突然降低甚至为零，降低前的那个电压值就是该绝缘材料的极限耐压强度。如果在电源两端再接一块电压表就更好了。电压逐渐升高，当测试极间电压突然降低，此时电源电压就是该绝缘材料的击穿电压。

电容器的耐压值、额定电压和击穿电压有什么区别电容器上标的电压是什么电压

耐压值：电容不被击穿所能承受的最大电压，一到超过耐压值电容就会损坏。（在进行测试的时候会提供耐压值标定的电压，但是不会进行很长时间以防止长时间高压损坏电容。）

额定电压：保持电容长期稳定工作的标准电压。（工作中的电容最好和这个值相等，超过则会损伤电容器）

击穿电压：达到这个值，电容器就会损坏。（肯定高于最高工作电压，是能损坏电容器的最低电压。）

电容器上标的电压：额定电压

电容器：通常简称其容纳电荷的本领为电容。“装电的容器”电容器种类很多，用途广泛。

二极管软击穿怎么检测

根据实际二极管种类不同，其软击穿等测量方法如下：
一、普通二极管的检测
普通二极管的检测（包括检波二极管、整流二极管、阻尼二极管、开关二极管、续流二极管）是由一个PN结构成的半导体器件，具有单向导电特性。通过用万用表检测其正、反向电阻值，可以判别出二极管的电极，还可估测出二极管是否损坏。
1．极性的判别 将万用表置于R×100档或R×1k档，两表笔分别接二极管的两个电极，测出一个结果后，对调两表笔，再测出一个结果。两次测量的结果中，有一次测量出的阻值较大（为反向电阻），一次测量出的阻值较小（为正向电阻）。在阻值较小的一次测量中，黑表笔接的是二极管的正极，红表笔接的是二极管的负极。
2．单向导电性能的检测及好坏的判断 通常，锗材料二极管的正向电阻值为1kΩ左右，反向电阻值为300左右。硅材料二极管的电阻值为5 kΩ左右，反向电阻值为∞（无穷大）。正向电阻越小越好，反向电阻越大越好。正、反向电阻值相差越悬殊，说明二极管的单向导电特性越好。
若测得二极管的正、反向电阻值均接近0或阻值较小，则说明该二极管内部已击穿短路或漏电损坏。若测得二极管的正、反向电阻值均为无穷大，则说明该二极管已开路损坏。
3．反向击穿电压的检测 二极管反向击穿电压（耐压值）可以用晶体管直流参数测试表测量。其方法是：测量二极管时，应将测试表“NPN/PNP”选择键设置为NPN状态，再将被测二极管的正极接测试表的“C”插孔内，负极插入测试表的“e”插孔，然后按下“V（BR）”键，测试表即可指示出二极管的反向击穿电压值。
也可用兆欧表和万用表来测量二极管的反向击穿电压、测量时被测二极管的负极与兆欧表的正极相接，将二极管的正极与兆欧表的负极相连，同时用万用表（置于合适的直流电压档）监测二极管两端的电压。如图4-71所示，摇动兆欧表手柄（应由慢逐渐加快），待二极管两端电压稳定而不再上升时，此电压值即是二极管的反向击穿电压。
二、稳压二极管的检测
1．正、负电极的判别 从外形上看，金属封装稳压二极管管体的正极一端为平面形，负极一端为半圆面形。塑封稳压二极管管体上印有彩色标记的一端为负极，另一端为正极。对标志不清楚的稳压二极管，也可以用万用表判别其极性，测量的方法与普通二极管相同，即用万用表R×1k档，将两表笔分别接稳压二极管的两个电极，测出一个结果后，再对调两表笔进行测量。在两次测量结果中，阻值较小那一次，黑表笔接的是稳压二极管的正极，红表笔接的是稳压二极管的负极。
若测得稳压二极管的正、反向电阻均很小或均为无穷大，则说明该二极管已击穿或开路损坏。
2．稳压值的测量 用0~30V连续可调直流电源，对于13V以下的稳压二极管，可将稳压电源的输出电压调至15V，将电源正极串接1只1.5kΩ限流电阻后与被测稳压二极管的负极相连接，电源负极与稳压二极管的正极相接，再用万用表测量稳压二极管两端的电压值，所测的读数即为稳压二极管的稳压值。若稳压二极管的稳压值高于15V，则应将稳压电源调至20V以上。
也可用低于1000V的兆欧表为稳压二极管提供测试电源。其方法是：将兆欧表正端与稳压二极管的负极相接，兆欧表的负端与稳压二极管的正极相接后，按规定匀速摇动兆欧表手柄，同时用万用表监测稳压二极管两端电压值（万用表的电压档应视稳定电压值的大小而定），待万用表的指示电压指示稳定时，此电压值便是稳压二极管的稳定电压值。
若测量稳压二极管的稳定电压值忽高忽低，则说明该二极管的性不稳定。
三、双向触发二极管的检测
1．正、反向电阻值的测量 用万用表R×1k或R×10k档，测量双向触发二极管正、反向电阻值。正常时其正、反向电阻值均应为无穷大。若测得正、反向电阻值均很小或为0，则说明该二极管已击穿损坏。
2．测量转折电压 测量双向触发二极管的转折电压有三种方法。
第一种方法是：将兆欧表的正极（E）和负极（L）分别接双向触发二极管的两端，用兆欧表提供击穿电压，同时用万用表的直流电压档测量出电压值，将双向触发二极管的两极对调后再测量一次。比较一下两次测量的电压值的偏差（一般为3~6V）。此偏差值越小，说明此二极管的性能越好。
第二种方法是：先用万用表测出市电电压U，然后将被测双向触发二极管串入万用表的交流电压测量回路后，接入市电电压，读出电压值U1，再将双向触发二极管的两极对调连接后并读出电压值U2。
若U1与U2的电压值相同，但与U的电压值不同，则说明该双向触发二极管的导通性能对称性良好。若U1与U2的电压值相差较大时，则说明该双向触发二极管的导通性不对称。若U1、U2电压值均与市电U相同时，则说明该双向触发二极管内部已短路损坏。若U1、U2的电压值均为0V，则说明该双向触发二极管内部已开路损坏。
第三种方法是：用0~50V连续可调直流电源，将电源的正极串接1只20kΩ电阻器后与双向触发二极管的一端相接，将电源的负极串接万用表电流档（将其置于1mA档）后与双向触发二极管的另一端相接。逐渐增加电源电压，当电流表指针有较明显摆动时（几十微安以上），则说明此双向触发二极管已导通，此时电源的电压值即是双向触发二极管的转折电压。

四、发光二极管的检测
1．正、负极的判别 将发光二极管放在一个光源下，观察两个金属片的大小，通常金属片大的一端为负极，金属片小的一端为正极。
2．性能好坏的判断
用万用表R×10k档，测量发光二极管的正、反向电阻值。正常时，正向电阻值（黑表笔接正极时）约为10~20kΩ，反向电阻值为250kΩ~∞（无穷大）。较高灵敏度的发光二极管，在测量正向电阻值时，管内会发微光。若用万用表R×1k档测量发光二极管的正、反向电阻值，则会发现其正、反向电阻值均接近∞（无穷大），这是因为发光二极管的正向压降大于1.6V（高于万用表R×1k档内电池的电压值1.5V）的缘故。
用万用表的R×10k档对一只220μF/25V电解电容器充电（黑表笔接电容器正极，红表笔接电容器负极），再将充电后的电容器正极接发光二极管正极、电容器负极接发光二极管负极，若发光二极管有很亮的闪光，则说明该发光二极管完好。
也可用3V直流电源，在电源的正极串接1只33Ω电阻后接发光二极管的正极，将电源的负极接发光二极管的负极（见图4-74），正常的发光二极管应发光。或将1节1.5V电池串接在万用表的黑表笔（将万用表置于R×10或R×100档，黑表笔接电池负极，等于与表内的1.5V电池串联），将电池的正极接发光二极管的正极，红表笔接发光二极管的负极，正常的发光二极管应发光。
五、红外发光二极管的检测
1．正、负极性的判别 红外发光二极管多采用透明树脂封装，管心下部有一个浅盘，管内电极宽大的为负极，而电极窄小的为正极。也可从管身形状和引脚的长短来判断。通常，靠近管身侧向小平面的电极为负极，另一端引脚为正极。长引脚为正极，短引脚为负极。
2．性能好坏的测量 用万用表R×10k档测量红外发光管有正、反向电阻。正常时，正向电阻值约为15~40kΩ（此值越小越好）；反向电阻大于500kΩ（用R×10k档测量，反向电阻大于200 kΩ）。若测得正、反向电阻值均接近零，则说明该红外发光二极管内部已击穿损坏。若测得正、反向电阻值均为无穷大，则说明该二极管已开路损坏。若测得的反向电阻值远远小于500kΩ，则说明该二极管已漏电损坏。
六、红外光敏二极管的检测
将万用表置于R×1k档，测量红外光敏二极管的正、反向电阻值。正常时，正向电阻值（黑表笔所接引脚为正极）为3~10 kΩ左右，反向电阻值为500 kΩ以上。若测得其正、反向电阻值均为0或均为无穷大，则说明该光敏二极管已击穿或开路损坏。
在测量红外光敏二极管反向电阻值的同时，用电视机遥控器对着被测红外光敏二极管的接收窗口（见图4-75）。正常的红外光敏二极管，在按动遥控器上按键时，其反向电阻值会由500 kΩ以上减小至50~100 kΩ之间。阻值下降越多，说明红外光敏二极管的灵敏度越高。

七、其他光敏二极管的检测
1．电阻测量法 用黑纸或黑布遮住光敏二极管的光信号接收窗口，然后用万用表R×1k档测量光敏二极管的正、反向电阻值。正常时，正向电阻值在10~20kΩ之间，反向电阻值为∞（无穷大）。若测得正、反向电阻值均很小或均为无穷大，则是该光敏二极管漏电或开路损坏。
再去掉黑纸或黑布，使光敏二极管的光信号接收窗口对准光源，然后观察其正、反向电阻值的变化。正常时，正、反向电阻值均应变小，阻值变化越大，说明该光敏二极管的灵敏度越高。
2．电压测量法 将万用表置于1V直流电压档，黑表笔接光敏二极管的负极，红表笔接光敏二极管的正极、将光敏二极管的光信号接收窗口对准光源。正常时应有0.2~0.4V电压（其电压与光照强度成正比）。
3．电流测量法 将万用表置于50μA或500μA电流档，红表笔接正极，黑表笔接负极，正常的光敏二极管在白炽灯光下，随着光照强度的增加，其电流从几微安增大至几百微安。
八、激光二极管的检测
1．阻值测量法 拆下激光二极管，用万用表R×1k或R×10k档测量其正、反向电阻值。正常时，正向电阻值为20~40kΩ之间，反向电阻值为∞（无穷大）。若测得正向电阻值已超过50kΩ，则说明激光二极管的性能已下降。若测得的正向电阻值大于90kΩ，则说明该二极管已严重老化，不能再使用了。
2．电流测量法 用万用表测量激光二极管驱动电路中负载电阻两端的电压降，再根据欧姆定律估算出流过该管的电流值，当电流超过100mA时，若调节激光功率电位器（见图4-76），而电流无明显的变化，则可判断激光二极管严重老化。若电流剧增而失控，则说明激光二极管的光学谐振腔已损坏。

九、变容二极管的检测
1．正、负极的判别 有的变容二极管的一端涂有黑色标记，这一端即是负极，而另一端为正极。还有的变容二极管的管壳两端分别涂有黄色环和红色环，红色环的一端为正极，黄色环的一端为负极。
也可以用数字万用表的二极管档，通过测量变容二极管的正、反向电压降来判断出其正、负极性。正常的变容二极管，在测量其正向电压降时，表的读数为0.58~0.65V；测量其反向电压降时，表的读数显示为溢出符号“1”。在测量正向电压降时，红表笔接的是变容二极管的正极，黑表笔接的是变容二极管的负极。
2．性能好坏的判断 用指针式万用表的R×10k档测量变容二极管的正、反向电阻值。正常的变容二极管，其正、反向电阻值均为∞（无穷大）。若被测变容二极管的正、反向电阻值均有一定阻值或均为0，则是该二极管漏电或击穿损坏。
十、双基极二极管的检测
1．电极的判别 将万用表置于R×1k档，用两表笔测量双基极二极管三个电极中任意两个电极间的正反向电阻值，会测出有两个电极之间的正、反向电阻值均为2~10kΩ，这两个电极即是基极B1和基极B2，另一个电极即是发射极E。再将黑表笔接发射极E，用红表笔依次去接触另外两个电极，一般会测出两个不同的电阻值。有阻值较小的一次测量中，红表笔接的是基极B2，另一个电极即是基极B1。
2．性能好坏的判断 双基极二极管性能的好坏可以通过测量其各极间的电阻值是否正常来判断。用万用表R×1k档，将黑表笔接发射极E，红表笔依次接两个基极（B1和B2），正常时均应有几千欧至十几千欧的电阻值。再将红表笔接发射极E，黑表笔依次接两个基极，正常时阻值为无穷大。
双基极二极管两个基极（B1和B2）之间的正、反向电阻值均为2~10kΩ范围内，若测得某两极之间的电阻值与上述正常值相差较大时，则说明该二极管已损坏。
十一、桥堆的检测
1．全桥的检测 大多数的整流全桥上，均标注有“+”、“-”、“~”符号（其中“+”为整流后输出电压的正极，“-”为输出电压的负极，“~”为交流电压输入端），很容易确定出各电极。
检测时，可通过分别测量“+”极与两个“~”极、“-”极与两个“~”之间各整流二极管的正、反向电阻值（与普通二极管的测量方法相同）是否正常，即可判断该全桥是否已损坏。若测得全桥内鞭只二极管的正、反向电阻值均为0或均为无穷大，则可判断该二极管已击穿或开路损坏。
2．半桥的检测 半桥是由两只整流二极管组成，通过用万用表分别测量半桥内部的两只二极管的正、反电阻值是否正常，即可判断出该半桥是否正常。
十二、高压硅堆的检测
高压硅堆内部是由多只高压整流二极管（硅粒）串联组成，检测时，可用万用表的R×10k档测量其正、反向电阻值。正常的高压硅堆，其正向电阻值大于200kΩ，反向电阻值为无穷大。若测得其正、反向均有一定电阻值，则说明该高压硅堆已软击穿损坏。
十三、变阻二极管的检测
用万用表R×10k档测量变阻二极管的正、反向电阻值，正常的高频变阻二极管的正向电阻值（黑表笔接正极时）为4.5~6kΩ，反向电阻值为无穷大。若测得其正、反向电阻值均很小或均为无穷大，则说明被测变阻二极管已损坏。
十四、肖特基二极管的检测
二端型肖特基二极管可以用万用表R×1档测量。正常时，其正向电阻值（黑表笔接正极）为2.5~3.5Ω，投向电阻值为无穷大。若测得正、反电阻值均为无穷大或均接近0，则说明该二极管已开路或击穿损坏。
三端型肖特基二极管应先测出其公共端，判别出共阴对管，还是共阳对管，然后再分别测量两个二极管的正、反向电阻值。
# 肖特基二极管和快恢复二极管又什么区别
快恢复二极管是指反向恢复时间很短的二极管（5us以下），工艺上多采用掺金措施，结构上有采用PN结型结构，有的采用改进的PIN结构。其正向压降高于普通二极管（1-2V），反向耐压多在1200V以下。从性能上可分为快恢复和超快恢复两个等级。前者反向恢复时间为数百纳秒或更长，后者则在100纳秒以下。
肖特基二极管是以金属和半导体接触形成的势垒为基础的二极管，简称肖特基二极管(Schottky Barrier Diode），具有正向压降低（0.4--0.5V）、反向恢复时间很短（10-40纳秒），而且反向漏电流较大，耐压低，一般低于150V，多用于低电压场合。
这两种管子通常用于开关电源。
肖特基二极管和快恢复二极管区别：前者的恢复时间比后者小一百倍左右，前者的反向恢复时间大约为几纳秒~！
前者的优点还有低功耗，大电流，超高速~！电气特性当然都是二极管阿~！
快恢复二极管在制造工艺上采用掺金,单纯的扩散等工艺,可获得较高的开关速度,同时也能得到较高的耐压.目前快恢复二极管主要应用在逆变电源中做整流元件.
肖特基二极管：反向耐压值较低40V-50V，通态压降0.3-0.6V，小于10nS的反向恢复时间。它是具有肖特基特性的“金属半导体结”的二极管。其正向起始电压较低。其金属层除材料外，还可以采用金、钼、镍、钛等材料。其半导体材料采用硅或砷化镓，多为N型半导体。这种器件是由多数载流子导电的，所以，其反向饱和电流较以少数载流子导电的PN结大得多。由于肖特基二极管中少数载流子的存贮效应甚微，所以其频率响仅为RC时间常数限制，因而，它是高频和快速开关的理想器件。其工作频率可达100GHz。并且，MIS（金属－绝缘体－半导体）肖特基二极管可以用来制作太阳能电池或发光二极管。
快恢复二极管：有0.8-1.1V的正向导通压降，35-85nS的反向恢复时间，在导通和截止之间迅速转换，提高了器件的使用频率并改善了波形。快恢复二极管在制造工艺上采用掺金,单纯的扩散等工艺,可获得较高的开关速度,同时也能得到较高的耐压.目前快恢复二极管主要应用在逆变电源中做整流元件.

什么是击穿电压其影响因素有哪些

电压击穿指的是电介质在足够强的电场作用下将失去其介电性能成为导体，称为电介质击穿，所对应的电压称为击穿电压。通过这一项实验，能得出电压击穿样品时的电压，而这个电压是该样品的上限值。当设计产品时，通过耐高电压测试得到的上限值，就可以知道该材料的抗压性能，然而，影响击穿电压的因素有很多，又分为试样本身状态方面和试验条件方面的。
　　——影响因素——
　　1、试样本身的状态影响击穿电压的因素比较典型的有：
　　a.试样的厚度：试样的厚度不平均，每个点的击穿电压的大小就会不一样，厚度大的地方击穿电压往往会比薄的地方大。
　　b.试样的表面状况：试样是否存在着孔隙，也会影响击穿电压的测量。若样品存在着有孔隙，样品中的孔隙，可能会使得电场畸变，测量出的击穿电压，会比实际的电压要大。
　　c.机械应力：当样品受到太多的机械应力时，介质承受着机械应力，当样品承受的机械应力过大时，可能会导致样品表面有微微的开裂，从而使得测得的击穿电压偏小。
　　d.样品的前处理：同种类型的样品，预处理时的条件不同，也可能使得测得的击穿电压与实际值有偏差，所以，遇到需要预处理的样品时，保证同组的样品，要在相同的环境下进行预处理。

　　2、因试样的试验条件不同对，引起击穿电压测量的误差的因素有：
　　a.作用时间：电压作用的时间，如果不够长，测量的结果一般会与实际值存在着偏差。因为，当电压作用在样品上时，需要一定的时间，来击穿这个样。如果作用的时间不够长，即使，达到了实际的击穿电压值，样品可能也不会被击穿。
　　b.升压速率：升压速率过快，仪器可能采集不到样品本身的击穿电压。例如，一个样品本身的击穿电压是8KV，而设置的升压速率是3KV/min,这种情况也会导致结果出现误差。
　　c.电压的频率：在高频工作时，有一部分的能量转成了热能(介质发热)，加速了样品的击穿，测量所得的值可能会比实际值要偏小。
　　d.环境的影响：对于击穿电压的测量，还有来自环境的影响(湿度、温度)，就像第三点提到的那样，温度过高，加速了电压击穿样品，导致样品的实际与测量值存在着偏差；湿度过大，可能会导致样品受潮。样品受潮之后，样品内部含有的水分较多，而水是比样品更容易导电的，所测得的击穿电压就会比实际值要小。
　　以上叙述的是影响击穿电压的因素的一部分，为了减小这些因素带来的误差，我们要保证样品的表面光滑，样品的厚度尽量的平

电容器超过额定电压会被击穿吗为什么，额定电压与击穿电压有什么关系和区别请简单解释，谢谢

击穿电压是电容器的极限电压，超过这个电压，电容器内的介质将被击穿，
额定电压是电容器长期工作时所能承受的电压，它比击穿电压要低，
电容器在不高于击穿电压下工作都是安全可靠的，不要误认为电容器只有在额定电压下工作才是正常的。

做场效应传感器时用什么仪器测试

用场效应管测试仪。
场效应管测试仪的使用方法：
打开电源开关前应检查：Idm开关和高压开关应拨在OFF 位置上。
1、塑封功率场效应管的测试： 按第五条：“测试盒和附加测试线”的说明，连接好场效应管专用测试盒和专用的两根粗的附加测试线。
(1)、击穿电压 VDSS 和栅极开启电压 VGS（th)的测量：先根据被测管测量 VDSS 和 VGS （th)的技术条件，选择好Idss 开关上的电流值（在不知道测试条件时一般是MOS 功率场效应管选择250uA，IGBT 选择1mA）。把高压开关拨至ON，先调节“高压调节”电位器使数字表显示在大于被测器件击穿电压的 130左右，测试时只要击穿指示灯亮了就说明电压已经够了，反之则再调高一些也无仿，注意：调好后必须把“高压”开关关断（OFF 位置上）。
把被测的场效应管插入VDSS /VGS（th)测试座（注意：不管是TO-220 或TO-3P 封装的，都必须把中间的D 极对应的插入插座中间孔“D”中）。若先测VDSS 则先把测试盒右测开关拨至 VDSS 位，然后按下仪器右下方的 VDSS 按钮，电压表立即显示该被测管的击穿电压值。再把测试盒开关拨至VGS(th)位,按下仪器右下方的VGS(th)按钮，电压表立即显示该被测管的栅极开启电压值，一般在2 - 6V 范围内。
例：IRFZ44N测试VDSS 和VGS(th)时的Idss 电流要求为250uA，所以把Idss 开关拨至250uA, 把测试盒开关拨至VDSS，按下VDSS 测量按钮，电压表显示为60V，再把测试盒开关拨至 VGS(th)，按下VGS(th)测量按钮，电压表显示为2.5V。 测试结果为：击穿电压VDSS = 60V，栅极开启电压VDS(th) = 2.5V 。
(2)、跨导Gfs 的测试：测试跨导Gfs 时必须使用两根粗的附加测试线，并根据第五条第3 点的要求连接好，测试前仪器右上角的Idm开关必须先拨在OFF 上。 插上被侧管，并把S2 线的鳄鱼夹头，夹住被测管的S1 脚根部（注意：不要和D 极短路）。把Idm开关拨至ON，会看到短路指示灯亮后即灭，机内的蜂鸣器响后又停，属正常现象。 先后调节脉冲电流Idm1 粗调和细调电位器，至被测场效应管测试Gfs 参数时的电流值，当数字基本稳定后按下脉冲电流 Idm2 测试按钮，并读取电流值。（部分常用功率场效应管的测试参数请参照后面的参数表）
本仪器跨导Gfs 的计算方法：S = （Idm2 - Idm1）×10，一般用心算即可读取。
例：IRFZ44N 测试跨导时的标准电流要求为25A，则粗细调节Idm1 为25.0A，当按下Idm2 按钮时电流显示为27.3A，则该管的跨导S = （27.3 - 25.0）×10 = 23 。 测试完毕后必须先把Idm开关关断（拨至OFF）方可更换另一管子。 正宗某一品牌公司生产的同一型号同一批次的管子，其跨导参数的离散性一般较小，测试时用抽检方式即可。
(3)、大电流条件下 ID 一致性测试（即配对）：该方法主要用于一批同型号同品牌的场效应管，在栅压不变的条件下，测试其大电流ID 的一致性。 由于功率场效应管在同一栅压条件下输出的ID 值往往有很大的离散性，即使是同一公司生产的同批次管子也不能保证其 ID 完全的一致，对于不同公司生产的同一型号管子其 ID 的差别有时候会相差很大，所以大电流条件下ID 一致性测试，是用于多个并联应用或推挽应用电路中很重要的一步。（测试操作方法同跨导测试法的Idm1 电流测量）。 一致性测试前请先选择好参考样管。
2、塑封功率IGBT 管的测试： 塑封功率IGBT 管的测试方法完全和测试功率场效应管相同，所不同的仅是引出脚的名称和被测参数的符号有区别。
（ 功率场效应管 ） （IGBT 管） 漏源击穿电压：VDSS 集发击穿电压： V(BR)CES 栅极开启电压：VGS(th) 栅极开启电压： VGE(th) 漏源漏电流：Idss 集发漏电流：Ices 漏极电流：ID 集电极电流：IC 跨导：Gfs 跨导：Gfs 漏极：D 集电极：C 栅极：G 栅极：G 源 极 ： S 发射极：E
3、其它封装形式的功率场效应管及IGBT 管的测试： 本仪器提供的测试盒主要用于TO-126、TO-220、TO-3P 等同类封装形式的场效应管和IGBT 管的测试用，对于非上述封装形式的器件（包括模块型），本仪器提供有测试线，也同样可以进行参数的测量,具体的连接方法请参照“测试线测量法连接图”。
4、其它更大标称电流和功率的场效应管及IGBT 的测试： 虽然本仪器对器件的标称电流和功率的测量范围界定在约85A/300W以内，那是根据器件厂家在技术条件上所规定的测量要求而已，实际上当你所使用的器件超出本仪器的界定范围以外时，仪器同样可以进行Idm=50A 的条件下测试跨导参数，同样可以测量VDSS 和Vgs(th)。
5、各类晶体三极管、二极管击穿电压的测试，稳压管、压敏电阻电压的测试等： 测量各类晶体三极管、二极管的击穿电压，稳压管、压敏电阻电压时的方法请看“测试线测量法。

如何判断场效应管是电流击还是电压击穿

一：效应管8N60为例：
1、万用表切换到欧姆表的“x10k”档，将G、S两极短接，黑表笔接D极、红表笔接S极，显示的电阻值应该为∞。
2、档位不变，将G极和D极短接，表笔接法不变，显示的电阻值应该非常小、接近零。
如果是这样，表面上看管子是好的。
P沟道场效应管，需要将红、黑表笔反过来接，其余步骤相同。
由于场效应管栅源开启电压通常高于2V（少数型号除外），因此 x1、x10、x100等档位是不行的，因为内部电池是1.5V的，而 x10k档电池通常至少为9V。
二：把场效应管有字一面面向自己，管脚从左向右分别为G D S。万用表用二极管挡。黑笔接S极 红笔碰一下G极。然后把红笔接D极会发现万用表有读数。则场效应管完好。这种方法只适合n沟道场效应管。而P沟道场效应管则红笔和黑笔对就行了。如没有万用表可以用直流电源测试，方法如下：用12V一下直流电都可以，首先电源负极接S极，然后正极接12v的电灯泡。灯泡另一端接D极，然后用一导线接电源正极，用导线接触一下G极。此时场效管S D极被触发导通，灯泡被点亮，如果用手同时接触G D S则S D极被关断，灯泡熄灭。这可以认为场效应管是好的。